EDO RAM (ang. Extended Data Out Random Access Memory) – rodzaj dynamicznej pamięci RAM i odmiana FPM DRAM, czasem określana także jako Hyper Page Mode enabled DRAM. W pamięci EDO nowy cykl dostępu, czyli odczytu lub zapisu, może zostać rozpoczęty jeszcze w trakcie trwania poprzedniego[1]. Pozwala to na ograniczenie przerw między operacjami, wynikających głównie z konieczności odczekania kilku cykli zegarowych na zakończenie operacji wyboru kolumny (CAS). Średni przyrost wydajności tych pamięci w stosunku do modułów FPM wynosił około 5%[1]. Moduły EDO zostały wprowadzone do powszechnego użytku w 1995 roku wraz z wydaniem przez Intela chipsetu i430FX, który zawierał obsługę ulepszonego mechanizmu EDO[1][2].
W niektórych przypadkach moduły EDO posiadały możliwość ukończenia operacji odczytu w jednym cyklu zegara. W innym wypadku sekwencyjny odczyt pamięci z jednej strony (jeśli była już wybrana) zabierał dwa, a nie trzy cykle zegarowe[3]. Wydajność pamięci EDO i jej możliwości pozwalały w pewnym stopniu na zastąpienie powolnej pamięci L2 procesorów. Pozwoliła ona także na podniesienie wydajności komputerów niewyposażonych w pamięć podręczną drugiego poziomu oraz obniżenie kosztów całego systemu[4].
Większość sprzętu akceptującego 72-pinowe moduły SIMM jest w stanie używać obu rodzajów pamięci (FPM lub EDO)[5][6]. Problemy jednak mogą się pojawiać, jeśli w jednym systemie zainstalowane są oba rodzaje modułów naraz[7]. Wczesne modele drukarek Hewlett-Packard posiadały wbudowany RAM typu FPM; niektóre modele pracowały poprawnie także z dodanymi modułami EDO[7].
BEDO RAM (Burst EDO RAM) była odmianą EDO RAM, w której do techniki EDO dodano tryb pakietowy (burst). Po podaniu pierwszego adresu układ generował wewnętrznie trzy kolejne adresy, eliminując w ten sposób czas potrzebny na wprowadzenie nowego adresu kolumny[8].
Mimo zalet związanych z większą wydajnością w stosunku do pamięci EDO RAM rozwiązanie to nie zostało szeroko przyjęte na rynku, m.in. dlatego, że producenci chipsetów i pamięci koncentrowali się już wówczas na rozwoju SDRAM[8].
